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S A López‐Rivera
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GaSe oxidation in air: from bulk to monolayers
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Fuente: Semiconductor Science and Technology
Mahfujur Rahaman
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Temperature evolution of the 2.1eV band in the Zn1−xMnxSe system for low concentration
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Measurement of the Soret coefficients in organic/water mixtures by thermal lens spectrometry
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Humberto Cabrera
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Field-Flow Fractionation Techniques
Publicado: 2013
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Crystal and phonon structure of ZnSiP2, a II-IV-V2 semiconducting compound
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Fuente: Materials Science and Engineering B
Heriberto Peña Pedraza
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Ch Power
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Chalcogenide Semiconductor Thin Films
Publicado: 2012
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Vibrational properties of GaSe: a layer dependent study from experiments to theory
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Fuente: Semiconductor Science and Technology
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Mousa Bejani
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Solid-state spectroscopy and crystallography
Publicado: 2018
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Preparation and properties of AgInS2 and AgInSe2 Single crystals and of the Quaternary alloys AgInSe2(1−x)S2x
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Vicente Sagredo
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Publicado: 1983
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Determination of the structure of IIIa-ZnIn2S4using convergent-beam electron diffraction and single-crystal x-ray diffraction
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Asiloé J Mora
D Acosta Najarro
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Publicado: 2001
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4f–4f intensities of the Tm3+ ions in fluoroindate glasses: the influence of third-order effects through odd intensity parameters
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Band assignments in absorption and photoluminescence of a new transparent fluoroindate glass doped with Er and Yb
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V Balassone
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Glass properties and applications
Publicado: 2004
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High-temperature lattice parameters and DTA of the quaternary compound CuGaSn□Se4
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Fuente: Il Nuovo Cimento D
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John C Woolley
Tópico:
Chalcogenide Semiconductor Thin Films
Publicado: 1983
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