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Hecho en Colombia
N Ben Afkir
Moroccan Foundation for Advanced Science, Innovation and Research
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Impact of heavy hole levels on the photovoltaic conversion efficiency of In Ga1−N/InN quantum dot intermediate band solar cells
Acceso Abierto
ART-ART_A2
ID Minciencias: ART-0000036790-17851
Fuente: Superlattices and Microstructures
Asmae EL Aouami
Kawtar FEDDI
MOHAMED EL HAOUARI
Mohamed EL YADRI
N Ben Afkir
Mimoun ZAZOUI
El mustapha Feddi
Carlos Alberto Duque Echeverri
Francis DUJARDIN
Temas:
Quantum dot
Solar cell
Energy conversion efficiency
Photovoltaic system
Optoelectronics
Photoelectric effect
Open-circuit voltage
Short circuit
Multiple exciton generation
Band offset
Photodiode
Band gap
Solar cell efficiency
Physics
Electron
Materials science
Quantum efficiency
Voltage
Valence band
Quantum mechanics
Ecology
Biology
Publicado: 2019
Citaciones:
10
Altmétricas:
0
Artículo de revista
1
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