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Ralph W Young
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Double quantum dot with tunable coupling in an enhancement-mode silicon metal-oxide semiconductor device with lateral geometry
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Acceso Abierto
ID Minciencias: ART-0000716480-76
Ranking: ART-ART_A1
Fuente: Applied Physics Letters
Lisa A Tracy
Eric P Nordberg
Ralph W Young
Carlos Borrás Pinilla
H L Stalford
Gregory A Ten Eyck
Kevin Eng
K D Childs
J R Wendt
Robert K Grubbs
Mostrar todos (14)
Tópico:
Quantum and electron transport phenomena
Publicado: 2010
Citaciones:
21
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Capacitance Modeling of Complex Topographical Silicon Quantum Dot Structures
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Acceso Abierto
Fuente: IEEE Transactions on Nanotechnology
Harold L Stalford
Ralph W Young
Eric P Nordberg
Carlos Borrás Pinilla
James E Levy
Malcolm S Carroll
Tópico:
Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
Publicado: 2010
Citaciones:
7
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Capacitance modeling of complex topographical silicon quantum dot structures
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Acceso Abierto
ID Minciencias: ART-0000716480-73
Ranking: ART-ART_A1
Fuente: arXiv (Cornell University)
H L Stalford
Ralph W Young
Eric P Nordberg
James E Levy
Carlos Borrás Pinilla
Malcolm S Carroll
Tópico:
Semiconductor materials and devices
Publicado: 2009
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Double quantum dot with tunable coupling in an enhancement-mode silicon metal-oxide semiconductor device with lateral geometry
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Acceso Cerrado
Fuente: Bulletin of the American Physical Society
Lisa A Tracy
Ralph W Young
Gregory A Ten Eyck
Kevin Eng
K D Childs
J R Wendt
Robert K Grubbs
J Stevens
Michael Lilly
Carroll
Mostrar todos (14)
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2011
Citaciones:
0
Artículo de revista
1
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