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James E Levy
Laboratorio Nacional Sandia
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Capacitance Modeling of Complex Topographical Silicon Quantum Dot Structures
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Acceso Abierto
Fuente: IEEE Transactions on Nanotechnology
Harold L Stalford
Ralph W Young
Eric P Nordberg
Carlos Borrás Pinilla
James E Levy
Malcolm S Carroll
Tópico:
Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
Publicado: 2010
Citaciones:
7
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Capacitance modeling of complex topographical silicon quantum dot structures
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Acceso Abierto
ID Minciencias: ART-0000716480-73
Ranking: ART-ART_A1
Fuente: arXiv (Cornell University)
H L Stalford
Ralph W Young
Eric P Nordberg
James E Levy
Carlos Borrás Pinilla
Malcolm S Carroll
Tópico:
Semiconductor materials and devices
Publicado: 2009
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
1
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