Autor
Cargando información...
Fundadores:
Producto desarrollado por:
@colav
Contacto
ImpactU:
Acerca de ImpactU
Manual de usuario
Código Abierto
Datos Abiertos
Apidocs
Estadísticas de uso
Indicadores de Cooperación
Información:
ImpactU Versión 3.10.0
Última actualización:
Interfaz de Usuario: 26/06/2025
Base de Datos: 26/06/2025
Hecho en Colombia
Patrick Martin
Normandy University
École nationale supérieure d'ingénieurs de Caen
Perfil externo:
Citaciones:
60
Productos:
1
Filtros
Investigación
Cooperación
Productos
Patentes
Proyectos
Noticias
i
Coautorías según país de afiliación
Cargando información...
i
Evolución anual según la clasificación del ScienTI (Top 20)
Cargando información...
1 Producto
Más citado
CSV
API
Displacement Damage Effects in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Acceso Abierto
Fuente: IEEE Transactions on Nuclear Science
B D Weaver
Patrick Martin
J B Boos
Cory Cress
Temas:
Transistor
Displacement (psychology)
Electron
Electron mobility
Physics
Field-effect transistor
Radiation
Optoelectronics
Materials science
Atomic physics
Nuclear physics
Quantum mechanics
Psychology
Voltage
Psychotherapist
Publicado: 2012
Citaciones:
60
Altmétricas:
0
Artículo de revista
1
NaN
