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Hecho en Colombia
Neil Anais Torres López
Física de Materiales
Universidad del Atlántico
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Very shallow boron junctions in Si by implantation and SOD diffusion obtained by RTP
Acceso Cerrado
ART-ART_B
ID Minciencias: ART-0000172030-35
Fuente: Microelectronics Journal
J Plaza Castillo
Alfonso Torres Jacome
Oleksandr Malik
N Torres López
Neil Anais Torres López
Temas:
Boron
Diffusion
Materials science
Optoelectronics
Nanotechnology
Silicon
Chemistry
Physics
Thermodynamics
Organic chemistry
Publicado: 2007
Citaciones:
9
Altmétricas:
0
Artículo de revista
1
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