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Vladimir Mashanov
Institute of Semiconductor Physics
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Energy characteristics of boron impurity in Si∕Si1−xGex heterostructures with on-center and on-edge selective doping of quantum wells
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Acceso Cerrado
Fuente: Low Temperature Physics
Victor Vainberg
Yu N Gudenko
vladimir poroshin
Viktor Tulupenko
Na Cheng
Zhou Yang
Vladimir Mashanov
K Y Wang
Tópico:
Semiconductor Quantum Structures and Devices
Publicado: 2007
Citaciones:
1
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