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Base de Datos: 26/06/2025
Hecho en Colombia
Raul Urteaga
Instituto de Física del Litoral
Universidad Nacional del Litoral
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Structural properties of porous silicon/SnO2:F heterostructures
Acceso Abierto
ART-ART_A1
ID Minciencias: ART-0000668664-202
Fuente: Thin Solid Films
Felipe Andrés Garcés Pineda
Leandro Acquaroli
Raul Urteaga
Anderson Dussan Cuenca
Roberto Roman Koropecki
Roberto Arce
Temas:
Tin oxide
Materials science
Dopant
Silicon
Doping
Crystallite
Porous silicon
Fluorine
Wafer
Chemical engineering
Heterojunction
Anodizing
Tin
Porosity
Inorganic chemistry
Mineralogy
Nanotechnology
Chemistry
Composite material
Metallurgy
Optoelectronics
Aluminium
Engineering
Publicado: 2012
Citaciones:
7
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Artículo de revista
1
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