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Victor Hugo Mendez Garcia
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Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs on (631) Oriented Substrates
Acceso Cerrado
Fuente: Japanese Journal of Applied Physics
Esteban Cruz Hernandez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Francisco Javier Ramírez Arenas
J S Rojas‐Ramirez
Victor Hugo Mendez Garcia
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Hillock
Molecular beam epitaxy
Anisotropy
Diffusion
Epitaxy
Exponential growth
Materials science
Surface diffusion
Condensed matter physics
Chemistry
Crystallography
Chemical physics
Nanotechnology
Optics
Physics
Physical chemistry
Thermodynamics
Adsorption
Layer (electronics)
Quantum mechanics
Composite material
Publicado: 2005
Citaciones:
6
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Photoreflectance study of InAs quantum dots on GaAs(n11) substrates
Acceso Cerrado
Fuente: Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures
J S Rojas‐Ramirez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Esteban Cruz Hernandez
Armando Pérez Centeno
Miguel Angel Meléndez Lira
Victor Hugo Mendez Garcia
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Spectral line
Molecular beam epitaxy
Quantum dot
Materials science
Spectroscopy
Condensed matter physics
Reflection (computer programming)
Diffraction
Gallium arsenide
Optoelectronics
Epitaxy
Molecular physics
Chemistry
Optics
Physics
Nanotechnology
Layer (electronics)
Quantum mechanics
Astronomy
Computer science
Programming language
Publicado: 2006
Citaciones:
6
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Structural and optical properties of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
Acceso Cerrado
ART-ART_B
ID Minciencias: ART-0000018341-105
Fuente: Microelectronics Journal
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Esteban Cruz Hernandez
J S Rojas‐Ramirez
Victor Hugo Mendez Garcia
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Molecular beam epitaxy
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
Quantum dot
Materials science
Luminescence
Electron diffraction
Arsenic
Optoelectronics
Diffraction
Epitaxy
Nanotechnology
Optics
Physics
Layer (electronics)
Metallurgy
Publicado: 2008
Citaciones:
5
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Artículo de revista
Study of the GaAs MBE growth on (631)-oriented substrates by Raman spectroscopy
Acceso Cerrado
ART-ART_A1
ID Minciencias: ART-0000018341-106
Fuente: Journal of Crystal Growth
Esteban Cruz Hernandez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
J S Rojas‐Ramirez
R Contreras‐Guerrero
D Vazquez
Angel Rodriguez
Victor Hugo Mendez Garcia
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Raman spectroscopy
Molecular beam epitaxy
Materials science
Spectroscopy
Chemistry
Crystallography
Analytical Chemistry (journal)
Nanotechnology
Optics
Epitaxy
Physics
Organic chemistry
Quantum mechanics
Layer (electronics)
Publicado: 2007
Citaciones:
4
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0
Artículo de revista
Study of AlGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates subjected to different treatments
Acceso Cerrado
ART-ART_A2
ID Minciencias: ART-0000018341-124
Fuente: Journal of Crystal Growth
R Contreras‐Guerrero
Angel Guillén Cervantes
Z Rivera Álvarez
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Gallardo Hernández Salvador
Y Kudriatsev
V M Sánchez Reséndiz
J S Rojas‐Ramirez
Esteban Cruz Hernandez
Victor Hugo Mendez Garcia
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Temas:
Molecular beam epitaxy
Quantum well
Materials science
Optoelectronics
Epitaxy
Semiconductor materials
Chemistry
Nanotechnology
Optics
Semiconductor
Physics
Laser
Layer (electronics)
Publicado: 2008
Citaciones:
2
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Study of the homoepitaxial growth of GaAs on (631) oriented substrates
Acceso Cerrado
Fuente: Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena
Esteban Cruz Hernandez
J S Rojas‐Ramirez
Carlos Vazquez Lopez
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Victor Hugo Mendez Garcia
Temas:
Hillock
Molecular beam epitaxy
Materials science
Diffusion
Arrhenius equation
Activation energy
Anisotropy
Condensed matter physics
Crystallography
Chemistry
Epitaxy
Nanotechnology
Optics
Composite material
Physical chemistry
Physics
Thermodynamics
Layer (electronics)
Publicado: 2006
Citaciones:
1
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs on (631) Oriented Substrates
Acceso Cerrado
Fuente: AIP conference proceedings
Esteban Cruz Hernández
Alvaro Orlando Pulzara Mora
Juan Salvador Rojas Ramírez
Rocío Contreras Hernández
Victor Hugo Mendez Garcia
MAXIMO LOPEZ LOPEZ
Temas:
Molecular beam epitaxy
Epitaxy
Materials science
Optoelectronics
Gallium arsenide
Surface (topology)
Molecular beam
Quantum well
Surface structure
Crystallography
Nanotechnology
Optics
Chemistry
Molecule
Geometry
Physics
Laser
Mathematics
Layer (electronics)
Organic chemistry
Publicado: 2007
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
1
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