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Lars Hultman
Universidad de Linköping
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Compensation of native donor doping in ScN: Carrier concentration control and p-type ScN
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Acceso Abierto
ID Minciencias: ART-0001004930-111
Ranking: ART-ART_A1
Fuente: Applied Physics Letters
Bivas Saha
Magnus Garbrecht
JAIME ANDRES PEREZ TABORDA
Mohammed Fawey
Yee Rui Koh
Ali Shakouri
Marisol Martin Gonzalez
Lars Hultman
Timothy Sands
Tópico:
GaN-based semiconductor devices and materials
Publicado: 2017
Citaciones:
64
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Structure and properties of pulsed-laser deposited carbon nitride thin films
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Acceso Cerrado
Fuente: Thin Solid Films
Henry Riascos Landazuri
Jörg Neidhardt
György Radnóczi
Jens Emmerlich
GUSTAVO ADOLFO ZAMBRANO ROMERO
Lars Hultman
P Prieto
Pedro Antonio Prieto Pulido
Tópico:
Diamond and Carbon-based Materials Research
Publicado: 2005
Citaciones:
37
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Corrosion Resistant TiTaN and TiTaAlN Thin Films Grown by Hybrid HiPIMS/DCMS Using Synchronized Pulsed Substrate Bias with No External Substrate Heating
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Acceso Abierto
ID Minciencias: ART-0000675067-330
Ranking: ART-ART_A2
Fuente: Coatings
Y Chipatecua Godoy
Olof Tengstrand
Jhon Jairo Olaya Florez
Ivan Petrov
Erika Bustos Bustos
Lars Hultman
Alberto Herrera Gomez
Joseph E Greene
Grzegorz Greczynski
Tópico:
Metal and Thin Film Mechanics
Publicado: 2019
Citaciones:
6
Altmétricas:
0
Artículo de revista
1
NaN
