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Timothy Sands
Universidad Stanford
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Ni, Pd, and Pt on GaAs: A comparative study of interfacial structures, compositions, and reacted film morphologies
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Acceso Cerrado
Fuente: Journal of materials research/Pratt's guide to venture capital sources
Timothy Sands
V G Keramidas
A J Yu
Kin Man Yu
R Gronsky
J Washburn
Tópico:
Advanced Chemical Physics Studies
Publicado: 1987
Citaciones:
150
Altmétricas:
0
Artículo de revista
An investigation of a nonspiking Ohmic contact to n-GaAs using the Si/Pd system
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Acceso Cerrado
Fuente: Journal of materials research/Pratt's guide to venture capital sources
L C Wang
B Zhang
F Fang
E D Marshall
S S Lau
Timothy Sands
T F Kuech
Tópico:
Semiconductor materials and interfaces
Publicado: 1988
Citaciones:
66
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Compensation of native donor doping in ScN: Carrier concentration control and p-type ScN
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Acceso Abierto
ID Minciencias: ART-0001004930-111
Ranking: ART-ART_A1
Fuente: Applied Physics Letters
Bivas Saha
Magnus Garbrecht
JAIME ANDRES PEREZ TABORDA
Mohammed Fawey
Yee Rui Koh
Ali Shakouri
Marisol Martin Gonzalez
Lars Hultman
Timothy Sands
Tópico:
GaN-based semiconductor devices and materials
Publicado: 2017
Citaciones:
64
Altmétricas:
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Artículo de revista
Temperature-dependent thermal and thermoelectric properties of n -type and p -type S c 1−x
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Acceso Abierto
ID Minciencias: ART-0001004930-115
Ranking: ART-GC_ART
Fuente: Physical review. B./Physical review. B
Bivas Saha
JAIME ANDRES PEREZ TABORDA
Je Hyeong Bahk
Yee Rui Koh
Ali Shakouri
Marisol Martin Gonzalez
Timothy Sands
Tópico:
Advanced Thermoelectric Materials and Devices
Publicado: 2018
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41
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