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Leandro Acquaroli
Universidad Laval de Montreal
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Structural properties of porous silicon/SnO2:F heterostructures
Acceso Abierto
ART-ART_A1
ID Minciencias: ART-0000668664-202
Fuente: Thin Solid Films
Felipe Andrés Garcés Pineda
Leandro Acquaroli
Raul Urteaga
Anderson Dussan Cuenca
Roberto Roman Koropecki
Roberto Arce
Temas:
Tin oxide
Materials science
Dopant
Silicon
Doping
Crystallite
Porous silicon
Fluorine
Wafer
Chemical engineering
Heterojunction
Anodizing
Tin
Porosity
Inorganic chemistry
Mineralogy
Nanotechnology
Chemistry
Composite material
Metallurgy
Optoelectronics
Aluminium
Engineering
Publicado: 2012
Citaciones:
7
Altmétricas:
0
Artículo de revista
POROUS SILICON/SnO2:F JUNCTION. EFFECT OF DOPING ON THE ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES
Acceso Abierto
Fuente: Anales/Anales AFA
Felipe Andrés Garcés Pineda
Leandro Acquaroli
Anderson Dussan Cuenca
Roberto Roman Koropecki
Roberto Arce
Temas:
Humanities
Physics
Doping
Materials science
Art
Optoelectronics
Publicado: 2012
Citaciones:
0
Altmétricas:
0
Artículo de revista
Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
Acceso Cerrado
Fuente: ANALES AFA
Felipe Andrés Garcés Pineda
Leandro Acquaroli
Anderson Dussan Cuenca
Roberto Roman Koropecki
Roberto Arce
Temas:
Humanities
Political science
Philosophy
Publicado: 2012
Citaciones:
0
Artículo de revista
1
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