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Hecho en Colombia
Tetsuji Yasuda
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
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Atomic nitrogen doping in p-ZnSe molecular beam epitaxial growth with almost 100% activation ratio
Acceso Cerrado
Fuente: Applied Physics Letters
Katsutoshi KIMURA
Shiro Miwa
Chengguo Jin
L H Kuo
Tetsuji Yasuda
Akihiro Ohtake
Kazunobu Tanaka
Tingting Yao
Hajime Kobayashi
Temas:
Molecular beam epitaxy
Photoluminescence
Doping
Acceptor
Analytical Chemistry (journal)
Nitrogen
Plasma
Excited state
Exciton
Chemistry
Materials science
Epitaxy
Atomic physics
Layer (electronics)
Optoelectronics
Nanotechnology
Condensed matter physics
Physics
Organic chemistry
Chromatography
Quantum mechanics
Publicado: 1997
Citaciones:
9
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Artículo de revista
1
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